Поддельные и некачественные радио компоненты! , Обсуждаем, что не стоит ставить в самодельные устройства. Опции

[OlegarX-RUS]

В этой ветке хотелось бы рассмотреть тот контрофакт которым завалины наши "рынки"
Предлагаю выкладывать фотографии того, что явно не соответствует заявленным характеристикам.
Также здесь советую расматривать приминяемые материалы.
В общем всё, что связано с элементной базой и вспомогаемыми материалами применяемых для постройки сварочных аппаратов.


Вот мне попались вот такое вот мягко говоря гав..о
Та, что с лева давала напряжение V-ref=3,5V(и это точное опорное напряжение(5 вольт)), а та, что справа (с надписью CHIN(на рисунке 3845, я мучался с 3844(хотя не думаю, что это имеет значение производитель один и тот-же))) пока их не впаиваеш в схему(через панельку) работает нормально, но только ты её впаяеш в схему она перестаёт работать!!! Я так вподряд 3-и новых таких корпуса впаявал после того как убедился, что с остальными элементами обвязки всё было впорядке, потом пошел, купил новую 3844 с надписью Philips и всё заработало с пол пинка. Оказалось (сам не поверил если бы не попробовал), что при пайки (обычный 25-и ватный паяльник, время пайки не привышало 2-е секунды) ноги микросхемы переставали соединятся с кристалом и при подачи питания на 7-ю ногу на 8-и ничего небыло (а должно быть пять вольт) при условии, что до пайки эта микросхема работала в панельки (это я их туда вставлял чтоб разобратся, что это за хрень такая) В общем запомните эти корпуса и обходите их стороной!!!
Что самое интересное, что полевики этого производителя вроде нормально работают(хотя я их не проверял в граничных режимах)

В общем продолжаем тему, что лучше не покупать!!!!!!!!!!!!!!!!!

[Душман]

Привет всем, сегодня купил оптодрайвера HCPL3120 , но что то маркировка показалась мне подозрительной , может кто ставил такие и чего подскажет, настоящии или перемарк?

Собрал "Тестер полупроводниковых элементов"
IGBT IRGP4063D определился как "N-E-MOS", Емкость затвора - C= 3,98[nF] , Напряжение открытия - Vt=4977 [mV], Наличие элементов защиты - диода,
IRGP50B60PD1"N-E-MOS", Емкость затвора - C= 7,10[nF] , Напряжение открытия - Vt=4363 [mV], Наличие элементов защиты - диода, что хорошо согласуется с даташитом, а если есть с чем сравнить - вообще отлично!
Заметил, менее мощные транзисторы (клиенты на перемаркер), имеют меньшее Vt, ну и по даташиту оно так,
100% гарантии конечно нет, но откровенный хлам на рынке отсеять можно сразу.

А где можно схемку этого тестера глянуть , очень интересно? Если можешь скинь в личку или выложи где нибудь.

Эскизы прикрепленных изображений