1)При комнатной температуре (Т=300К) обратный тока нассыщения через p-n переход равен 2,5мкА. Определить сопротивление p-n перехода при прямом напряжении 0,1В.
2) Изобразите энергетическую диаграмму вырожденного p-n перехода при обратном смещении.
3) Какие физические процессы происходят в транзисторе при его пробое, если он включен по схемам с общей базой и общим эммитером?
4) Нарисуйте структуру интегрального VLG-транзистора с индуцированным каналом n-типа. Изобразите его выходные характеристики и характеристики передачи.

помогите ответить!!!

Темы не дублируем.

Вы всерьёз полагаете, что эти вопросы из теории электротехники? А на лекциях какого предмета Вы расматривали схемы включения транзисторов?

Уважаемая гостья!
Предлагаю Вашему вниманию ответ на первый вопрос.
Прямой ток p-n перехода, при приложении к нему напряжения определяется по формуле:
I = Is * (exp(U/fi_t) - 1)
где Is - ток насыщения (тепловой ток), создаваемый неосновными носителями, Is = 2.5 мкА (по условию)
fi_t - тепловой потенциал, определяемый по формуле:
fi_t = T / 11600
где Т - абсолютная темперетура полупроводника, Т = 300 К (по условию)
fi_t = 300/11600 = 0.026 В
Таким образом, ток перехода при прямом включении (напряжение U = 0,1 В)
I = 114,5 мкА
Сопротивление перехода определяется по классической формуле:
R = U/I = 0,1 / 114,5*10^(-6) = 873,1 Ом
Как видно, сопротивление большое.
Необходимо отмечить, что полупроводник является нелинейным элементом, поэтому найденное сопротивление называется "статическим" (т.е. в определенной точке)
Если необходимы ответы на остальные задания, сообщите дополнительно