мужики, может здесь кто подскажет, а то на других заумных форумах смеются.
что такое глубокое насыщение? я вообще не понимаю этого слова насыщение, а тут еще и глубокое.
мне не обязательно даже глубокое мне бы кто на пальцах объяснил, что такое вообще насыщение.

На пальцах. Увеличивая ток базы, увеличивается ток коллектора. Наступает такой момент, когда ток коллектора перестаёт расти с увеличением тока базы, этот режим называется режимом насыщения. То бишь, транзистор открыт полностью.

Мой вариант "на пальцах".
Кран на холодной воде, или пусть на горячей
Открываете кран - вода текет. Открываете больше - текет больше. Открываете на 2/3 - вода идет напором. Открываете еще больше, полностью на 100 %, а вода уже больше не увеличивается в напоре. Уже насыщение...
Так если на пальцах...

Термин "насыщение" придуман искусственно, для пояснения поведения графиков вольт-амперных характеристик транзистора (и не только). Точка "насыщения" - это участок графика, где монотонно возрастающая линия графика плавно перестаёт "возрастать", и переходит в почти горизонтальный участок.
В частном случае, для графика тока коллектора : при увеличении либо тока базы (при постоянном напряжении коллектор-эмиттер), либо напряжения коллектор-эмиттер (при постоянном токе базы), начиная с точки "насыщения" этот ток коллектора перестаёт расти. Если, после прохождения точки насыщения тока коллектора, продолжать увеличивать ток базы (или напряжение коллектор-эмиттер), то это насыщение становится "глубоким", то есть далеко вправо по графику. И так до тех пор, пока выдержит кристалл и не перегреется, а далее уже никакого насыщения, ни простого, ни глубокого, нет - только тепловой пробой и выход из строя.
Этот процесс имеет разную физическую природу у разных электронных и полупроводниковых приборов, но обычно не связан с реальным "насыщением" токопроводящего участка какими-то объектами (электронами, ионами, "дырками"...).

Повторюсь, это слово применяют только для пояснения поведения графика. Вот он рос, принимая ток в базу, а потом всё, насытился: выходной ток транзистора больше не может расти, сколько не корми его входным током.

мне понравилось как вы рассказали но после рассказа Дачника пришел опять в ступор, благо, что опять смог прочитать ваш пост и мозги опять вроде устаканились.
Как я понял насыщение это ток который может выдержать транзистор но, ток какой если он идет по ножке базы и по коллектору и по эмитеру : вообще по какому входу может быть самый большой ток который и является насыщением !?

Понятие (термин) "насыщение", это один из режимов работы транзистора, а не ток.
Из России, чётко описал этот режим "на пальцах":
Расширим...
Краник это база, поворот ручки - это изменение тока базы, струя из крана - это ток коллектора. Для простоты другие параметры не будем привлекать.
*Повернув краник на четверть, приоткрыли поток воды, приоткрыв на половину - струя сильнее, приоткрыв на 3/4 - пошла полная струя... и открывая кран дальше напор воды из крана не меняется. Значит после поворота на 3/4 система труб не может создать давление больше... все трубы "насытились" водой по "самое немогу".
Переходим к биполярному транзистору (схема ОЭ, см. педивикию). Меняя номинал резистора в цепи базы (пусть переменник будет), будем менять ток коллектора.
**Повернув ручку резистора (потенциометра) на 1/4, приоткрыли транзистор, стал протекать некий ток. Повернув ручку в среднее положение (1/2), приоткрыли транзистор ещё больше, увеличился ток коллектора. Повернув ещё до положения 3/4 от начального, полностью открыли транзистор. Ток максимальный, определяемый напряжением источника питания и резистором в цепи коллектора (или эмиттера). Вращение ручки дальше уже не изменит тока коллектора, ибо он в режиме насыщения, полностью открыт.
Теперь просто сравните описание * и **.

А ток, который может выдержать транзистор, написан в его ТТХ и определяется не только режимом работы но и некоторыми другими параметрами. В полностью открытом состоянии транзистор может находится сколь угодно долго, если не превышены его предельные параметры.
Далее. Ток базы протекает не через "ножку" коллектора, а через эмиттер, так же как и ток коллектора. Iэ = Iб + Iк
Эта инфа не секретная и есть в любом источнике по биполярным транзисторам. Про биполярники упоминаю не раз, ибо по моему, они проще в рассмотрении азов...
Могу порекомендовать книгу Айсберга "Транзистор? Это просто""